實驗(yan)(yan)電(dian)(dian)爐在使(shi)用中會出現(xian)(xian)這(zhe)樣(yang)那樣(yang)的(de)(de)問題影響使(shi)用,如(ru)實驗(yan)(yan)電(dian)(dian)爐的(de)(de)感應(ying)(ying)加熱設備運行正常(chang)、但在正常(chang)過流(liu)(liu)保護(hu)動作時(shi)燒毀(hui)(hui)整流(liu)(liu)系(xi)(xi)統的(de)(de)晶(jing)閘(zha)管。出現(xian)(xian)這(zhe)樣(yang)的(de)(de)問題的(de)(de)解決方法是什么呢(ni)?答:處理過流(liu)(liu)保護(hu)時(shi)為了向(xiang)電(dian)(dian)網釋放平波電(dian)(dian)抗器的(de)(de)能(neng)量,整流(liu)(liu)橋由(you)整流(liu)(liu)狀(zhuang)態(tai)轉到(dao)逆(ni)變(bian)狀(zhuang)態(tai),這(zhe)時(shi)如(ru)果就有可能(neng)造成有源逆(ni)變(bian)顛覆燒毀(hui)(hui)整流(liu)(liu)系(xi)(xi)統的(de)(de)可控硅(gui),感應(ying)(ying)加熱爐的(de)(de)開關跳閘(zha),并伴隨有巨(ju)大(da)的(de)(de)電(dian)(dian)流(liu)(liu)短路爆炸(zha)聲,對變(bian)壓(ya)器產生較(jiao)大(da)的(de)(de)電(dian)(dian)流(liu)(liu)和(he)電(dian)(dian)磁力沖擊,嚴重時(shi)會損壞變(bian)壓(ya)器。
a.晶閘(zha)管設備在做絕緣耐壓測試時,請取下(xia)控制板(ban),不然能夠形成控制板(ban)較久(jiu)性損壞。
b.內部電路及參數的更(geng)改,恕不另行通知(zhi)。
c.如果在運用中形成控制(zhi)板以外的零(ling)部(bu)件損壞,本公(gong)司概(gai)不負責。
d.DLJ器(qi)材(cai)是(shi)一種(zhong)CMOS器(qi)材(cai),運用(yong)時應留(liu)意,器(qi)材(cai)的兩個引腳(jiao)之間禁止短路,不然將損壞芯片,為確保器(qi)材(cai)的蓄(xu)熱式鍛(duan)造加熱爐安全,因(yin)而忌用(yong)萬用(yong)表直接測量器(qi)材(cai)的引腳(jiao)。
第二個(ge)問(wen)題:實驗(yan)電爐的感應(ying)加熱(re)設(she)備、熱(re)處理設(she)備運(yun)行正常但旁路(lu)(lu)電抗器發(fa)生發(fa)熱(re)燒毀的現象(xiang)(xiang)。這個(ge)問(wen)題該如(ru)何解(jie)決(jue)(jue)?答:出現這個(ge)問(wen)題是(shi)因(yin)(yin)為旁路(lu)(lu)電抗器自身(shen)的質量現象(xiang)(xiang);逆變(bian)電路(lu)(lu)存在不對稱(cheng)運(yun)行,造成(cheng)逆變(bian)電路(lu)(lu)不對稱(cheng)運(yun)行的主要原因(yin)(yin)來(lai)源于信號回路(lu)(lu)。解(jie)決(jue)(jue)方法就(jiu)是(shi)把逆變(bian)電路(lu)(lu)調對稱(cheng)就(jiu)行了(le)。
實驗電爐在使用中(zhong)還會有其他(ta)一些問題(ti),但也(ye)都有合理的解決(jue)方(fang)法,具(ju)體請關(guan)注(zhu)我公司網站上(shang)的文章(zhang)。
實(shi)驗(yan)電(dian)爐(lu)(lu)(lu)在使用中會(hui)出現這樣(yang)那樣(yang)的(de)(de)(de)(de)問題影(ying)響(xiang)使用,如(ru)實(shi)驗(yan)電(dian)爐(lu)(lu)(lu)的(de)(de)(de)(de)感應(ying)加熱設備運行正常、但在正常過流保(bao)護動作時(shi)燒毀整(zheng)流系統(tong)的(de)(de)(de)(de)晶閘(zha)管。出現這樣(yang)的(de)(de)(de)(de)問題的(de)(de)(de)(de)解決方(fang)法是什么呢?答:處理過流保(bao)護時(shi)為了向電(dian)網(wang)釋放(fang)平波(bo)電(dian)抗器(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)能量,整(zheng)流橋由整(zheng)流狀態轉到逆(ni)變狀態,這時(shi)如(ru)果(guo)就(jiu)有(you)可能造成有(you)源逆(ni)變顛覆(fu)燒毀整(zheng)流系統(tong)的(de)(de)(de)(de)可控硅,感應(ying)加熱爐(lu)(lu)(lu)的(de)(de)(de)(de)開關(guan)跳閘(zha),并伴(ban)隨有(you)巨大(da)的(de)(de)(de)(de)電(dian)流短路爆炸聲,對變壓器(qi)(qi)產生較大(da)的(de)(de)(de)(de)電(dian)流和電(dian)磁力沖擊,嚴重時(shi)會(hui)損壞變壓器(qi)(qi)。
a.晶閘管設(she)備在做絕緣耐壓測(ce)試時,請取下(xia)控(kong)制板,不然能夠形(xing)成(cheng)控(kong)制板較久(jiu)性損壞。
b.內部電(dian)路及參(can)數的更改,恕(shu)不另(ling)行(xing)通(tong)知(zhi)。
c.如果(guo)在運用(yong)中形成(cheng)控(kong)制板以外的零部件損壞,本公司概不負責。
d.DLJ器(qi)材是一種CMOS器(qi)材,運用時(shi)應留意(yi),器(qi)材的(de)兩個引腳之間禁(jin)止短路,不然將損壞芯片,為確保器(qi)材的(de)蓄熱(re)(re)式鍛(duan)造加熱(re)(re)爐安全,因而忌用萬用表直接(jie)測量器(qi)材的(de)引腳。
第二個(ge)問(wen)題:實驗電爐的感應加熱設備、熱處(chu)理設備運(yun)行(xing)正常(chang)但旁路(lu)(lu)(lu)電抗器發生發熱燒毀的現(xian)(xian)象。這(zhe)個(ge)問(wen)題該如何(he)解決(jue)?答:出現(xian)(xian)這(zhe)個(ge)問(wen)題是(shi)因(yin)為旁路(lu)(lu)(lu)電抗器自身的質量現(xian)(xian)象;逆變電路(lu)(lu)(lu)存在不對稱運(yun)行(xing),造成(cheng)逆變電路(lu)(lu)(lu)不對稱運(yun)行(xing)的主(zhu)要原因(yin)來源于(yu)信號回(hui)路(lu)(lu)(lu)。解決(jue)方法就是(shi)把逆變電路(lu)(lu)(lu)調對稱就行(xing)了。
實驗電爐在使(shi)用中還會有(you)其他(ta)一些問題,但也都(dou)有(you)合理的(de)解決方法,具體(ti)請關(guan)注我(wo)公(gong)司網站上的(de)文(wen)章(zhang)。
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